Многие при покупке flash-накопителя задаются вопросом: «как правильно выбрать флешку». Конечно, флешку выбрать не так уж и трудно, если точно знать для каких целей она приобретается. В этой статье я постараюсь дать полный ответ на поставленный вопрос. Я решил писать только о том, на что надо смотреть при покупке.
Flash-накопитель (USB-накопитель) – это накопитель, предназначенный для хранения и переноса информации. Работает флешка очень просто без батареек. Всего лишь нужно ее подключить к USB порту Вашего ПК.
Добрый день, мои дорогие друзья. В сегодняшней статье я хочу поговорить о том, как правильно выбрать коврик для мыши. При покупке коврика многие не придают этому никакого значения. Но как оказалось, этому моменту нужно уделять особое внимание, т.к. коврик определяют один из показателей комфорта во время работы за ПК. Для заядлого геймера выбор коврика это вообще отдельная история. Рассмотрим, какие варианты ковриков для мыши придуманы на сегодняшний день.
А теперь я бы хотел поговорить о каждом виде поподробнее.
1. Сначала хочу рассмотреть сразу три варианта: пластиковые, алюминиевые и стеклянные. Такие коврики пользуются большой популярностью у геймеров. Например, пластиковые коврики легче найти в продаже. По таким коврикам мышь скользит быстро и точно. И самое главное такие коврики подходят как для лазерных, так и для оптических мышей. Алюминиевые и стеклянные коврики найти будет немного сложнее. Да и стоить они будут немало. Правда есть за что – служить они будут очень долго. Коврики данных видов имеют маленькие недостатки. Многие говорят, что при работе они шуршат и наощупь немного прохладные, что может вызывать у некоторых пользователей дискомфорт.
2. Прорезиненные (тряпичные) коврики имеют мягкое скольжение, но при этом точность движений у них хуже. Для обычных пользователей такой коврик будет в самый раз. Да и стоят они намного дешевле предыдущих.
3. Двухсторонние коврики, на мой взгляд, очень интересная разновидность ковриков для мыши. Как понятно из названия у таких ковриков две стороны. Как правило, одна сторона является скоростной, а другая высокоточной. Бывает так, что каждая сторона рассчитана на определенную игру.
4. Гелиевые коврики имеют силиконовую подушку. Она якобы поддерживает руку и снимает с нее напряжение. Лично для меня они оказались самыми неудобными. По назначению они рассчитаны для офисных работников, поскольку те целыми днями сидят за компьютером. Для обычных пользователей и геймеров такие коврики не подойдут. По поверхности таких ковриков мышь скользит очень плохо, да и точность у них не самая хорошая.
На этом я хочу закончить статью. От себя желаю сделать Вам правильный выбор и быть им довольным.
У кого нет мышки или хочет её заменить на другую советую посмотреть статью: .
Моноблоки компании Microsoft пополнились новой моделью моноблока под названием Surface Studio. Свою новинку Microsoft представил совсем недавно на выставке в Нью-Йорке.
На заметку! Я пару недель назад писал статью, где рассматривал моноблок Surface. Этот моноблок был представлен ранее. Для просмотра статьи кликайте по .
На заметку! Разрешение дисплея 4500х3000 пикселей соответствует 13,5 млн пикселей. Это на 63% больше, чем у разрешения 4К.
На заметку! Для людей творческих профессий я советую посмотреть статью, где я рассматривал моноблоки подобного функционала. Кликаем по выделенному: .
На заметку! Кстати, у компании Microsoft есть еще один удивительный моноблок. Чтобы узнать о нем, переходите по .
Из периферии отмечу следующее: 4 порта USB, разъем Mini-Display Port, сетевой порт Ethernet, card-reader, аудио гнездо 3,5 мм, веб-камера с 1080р, 2 микрофона, аудиосистема 2.1 Dolby Audio Premium, Wi-Fi и Bluetooth 4.0. Так же моноблок поддерживает беспроводные контроллеры Xbox.
Компания OCZ продемонстрировала новые SSD-накопители VX 500. Данные накопители будут оснащаться интерфейсом Serial ATA 3.0 и сделаны они в 2.5-дюймовом форм-факторе.
На заметку! Кому интересно, как работает SSD-диски и сколько они живут, можно прочитать в ранее мною написанной статье: .Новинки выполнены по 15-нанометровой технологии и будут оснащаться микрочипами флеш-памяти Tochiba MLC NAND. Контроллер в SSD-накопителях будет использоваться Tochiba TC 35 8790.
Количество операций ввода/вывода в секунду (IOPS) с блоками данных размером 4 кбайта может достигать 92000 при чтении, а при записи 65000 (это все при произвольном).
Толщина накопителей OCZ VX 500 будет составлять 7 мм. Это позволит использовать их в ультрабуках.
Цены новинок будут следующими: 128 Гб — 64 доллара, 256 Гб — 93 доллара, 512 Гб — 153 доллара, 1 Тб — 337 долларов. Я думаю, в России они будут стоить дороже.
Компания Lenovo на выставке Gamescom 2016 представила свой новый игровой моноблок IdeaCentre Y910.
На заметку! Ранее я писал статью, где уже рассматривал игровые моноблоки разных производителей. Данную статью можно посмотреть, кликнув по этой .
У моноблока будет несколько конфигураций. В максимальной конфигурации предусмотрен процессор 6 поколения Intel Core i7, объем жесткого диска до 2 Тб или объемом 256 Гб. Объем оперативной памяти равен 32 Гб DDR4. За графику будет отвечать видеокарта NVIDIA GeForce GTX 1070 либо GeForce GTX 1080 с архитектурой Pascal. Благодаря такой видеокарте к моноблоку можно будет подключить шлем виртуальной реальности.
Из периферии моноблока я бы выделил аудиосистему Harmon Kardon с 5-ваттными динамиками, модуль Killer DoubleShot Pro Wi-Fi, веб-камеру, USB порты 2.0 и 3.0, разъемы HDMI.
В базовом варианте моноблок IdeaCentre Y910 появиться в продаже в сентябре 2016 года по цене от 1800 евро. А вот моноблок с версией «VR-ready» появится в октябре по цене от 2200 евро. Известно, что в этой версии будет стоять видеокарта GeForce GTX 1070.
Компания MediaTek решила модернизировать свой мобильный процессор Helio X30. Так что теперь разработчики из MediaTek проектируют новый мобильный процессор под названием Helio X35.
Я бы хотел вкратце рассказать о Helio X30. Данный процессор имеет 10 ядер, которые объединены в 3 кластера. У Helio X30 есть 3 вариации. Первый - самый мощный состоит из ядер Cortex-A73 с частотой до 2,8 ГГц. Так же есть блоки с ядрами Cortex-A53 с частотой до 2,2 ГГц и Cortex-A35 с частотой 2,0 ГГц.
Новый процессор Helio X35 тоже имеет 10 ядер и создается он по 10-нанометровой технологии. Тактовая частота в этом процессоре будет намного выше, чем у предшественника и составляет от 3,0 Гц. Новинка позволит задействовать до 8 Гб LPDDR4 оперативной памяти. За графику в процессоре скорее всего будет отвечать контроллер Power VR 7XT.
Саму станцию можно увидеть на фотографиях в статье. В них мы можем наблюдать отсеки для накопителей. Один отсек с разъемом 3,5 дюймов, а другой с разъемом 2,5 дюймов. Таким образом к новой станции можно будет подключить как твердотельный диск (SSD), так и жесткий диск (HDD).
Габариты станции Drive Dock составляют 160х150х85мм, а вес ни много ни мало 970 граммов.
У многих, наверное, возникает вопрос, как станция Drive Dock подключается к компьютеру. Отвечаю: это происходит через USB порт 3.1 Gen 1. По заявлению производителя скорость последовательного чтения будет составлять 434 Мб/сек, а в режиме записи (последовательного) 406 Мб/с. Новинка будет совместима с Windows и Mac OS.
Данное устройство будет очень полезным для людей, которые работают с фото и видео материалами на профессиональном уровне. Так же Drive Dock можно использовать для резервных копий файлов.
Цена на новое устройство будет приемлемой — она составляет 90 долларов.
На заметку!
Ранее Рендучинтала работал в компании Qualcomm. А с ноября 2015 года он перешел в конкурирующую компанию Intel.
В своем интервью Рендучинтала не стал говорить о мобильных процессорах, а лишь сказал следующее, цитирую: «Я предпочитаю меньше говорить и больше делать».
Таким образом, топ-менеджер Intel своим интервью внес отличную интригу. Нам остается ждать новых анонсов в будущем.
Рынок комплектующих постоянно пополняется новыми разработками и инновациями с завидной регулярностью, отчего у многих пользователей, чьи средства явно не позволяют своевременно обзавестись новым железом, появляются сомнения в мощности и производительности своего компьютера в целом. Во все времена обсуждение уймы вопросов на технических форумах про актуальность своих комплектующих не стихает никогда. При этом вопросы касаются не только лишь процессора, видеокарты, но даже и оперативной памяти. Однако, даже невзирая на всю динамику развития компьютерного железа, актуальность технологий предыдущих поколений не утрачивается настолько же быстро. В том числе это касается и компонентов
DDR2 - это второе поколение с произвольным доступом (от англ. Synchronous Dynamic random access memory - SDRAM), или же, в привычной для любого пользователя формулировке, следующее после DDR1 поколение оперативной памяти, получившей широкое распространение в сегменте персональных компьютеров.
Будучи разработанным в далёком 2003 году, полноценно закрепиться на рынке новый тип смог лишь к концу 2004-го - только на тот момент появились чипсеты с поддержкой DDR2. Активно разрекламированное маркетологами, второе поколение было представлено как чуть ли не в два раза более мощная альтернатива.
Что стоит в первую очередь выделить из различий, это способность работать на значительно более высокой частоте, передавая данные дважды за один такт. С другой стороны, стандартным негативным моментом поднятия частот является увеличение времени задержки при работе.
Наконец, к середине 2000-х новый тип основательно ущемил позиции предыдущего, первого, и лишь только к 2010 году DDR2 была значимым образом потеснена пришедшей на замену новинкой DDR3.
Распространяемые модули ОЗУ DDR2 (в обыденной речи принявшие название "плашки") обладали некоторыми отличительными особенностями и разновидностями. И хоть обилием вариаций новый для своего времени откровенно не поражал, однако даже внешние различия сразу же бросались в глаза любому покупателю с первого взгляда:
Помимо всех вышеперечисленных особенностей, следует отметить также довольно посредственную "оболочку" плашек тех времён - почти все они за редким исключением тогда были представлены лишь стандартными платами с микросхемами. Маркетинг в сегменте компьютерного железа тогда лишь только-только начинал раскручиваться, поэтому в продаже попросту не было образцов с привычными уже для современных модулей оперативки радиаторами самых различных размеров и оформления. До сих пор они выполняют прежде всего функцию декоративную, нежели задачу отвода выделяемого тепла (что, в принципе, не свойственно оперативной памяти типа DDR).
На фото, размещенном ниже, можно видеть, как выглядят модули ОЗУ DDR2-667 с радиатором.
DDR2-память по своей конструкции имеет крайне важное отличие от предыдущей DDR - отсутствие обратной совместимости. В образцах второго поколения прорезь в зоне контакта планки с разъёмом для оперативной памяти на материнской плате уже была расположена по-иному, из-за чего вставить плашку DDR2 в разъём, рассчитанный на DDR, физически невозможно без поломки одного из компонентов.
Для серийных материнских плат (любая для домашнего/офисного пользования материнская плата) DDR2-стандарт мог предложить максимальный объём 16 гигабайт. Для серверных решений лимит объёма доходил до 32 гигабайт.
Стоит также обратить внимание ещё на один технический нюанс: минимальный объём одной плашки составляет 1 Гб. Помимо этого, на рынке представлены ещё два варианта модулей DDR2: 2Gb и 8Gb. Таким образом, чтобы получить максимально возможный запас оперативной памяти этого стандарта, пользователю придётся устанавливать две планки по 8 Гб либо четыре по 4 Гб соответственно.
Этот параметр отвечает за способность шины памяти пропускать как можно больше информации за единицу времени. Большее значение частоты - больше данных возможно будет предать, и тут DDR2-память существенно обогнала предыдущее поколение, которое могло работать в диапазоне от 200 до 533 МГц максимум. Ведь минимальная частота планки DDR2 - это 533 МГц, а топовые экземпляры, в свою очередь, могли похвастаться разгоном до 1200 МГц.
Однако с ростом частоты памяти закономерно поднимались и тайминги, от которых не в последнюю очередь зависит производительность памяти.
Тайминг - это временной интервал с момента запроса данных до считывания их с оперативной памяти. И чем больше увеличивалась частота модуля, тем дольше оперативке требовалось времени на совершение операций (не до колоссальных задержек, разумеется).
Измеряется параметр в наносекундах. Наиболее влияющим на производительность является тайминг латентности (CAS latency), который в спецификациях обозначается как CL* (вместо * может быть указано любое число, и чем оно меньше - тем оперативное будет работать шина памяти). В некоторых случаях тайминги планок указываются трёхсимвольной комбинацией (к примеру, 5-5-5), однако наиболее критичным параметром будет как раз-таки первое число - им всегда обозначена латентность памяти. Если же тайминги указаны в четырёхзначной комбинации, в которой последнее значение разительно больше всех остальных (к примеру, 5-5-5-15), то это указана длительность общего рабочего цикла в наносекундах.
Своим появлением второе поколение вызвало немало шума в компьютерных кругах, что и обеспечило ей немалую популярность и отличные продажи. DDR2, как и предшествующее ей поколение, могла передавать данные по обоим срезам, однако более быстрая шина с возможностью передачи данных значительно повысила её работоспособность. К тому же положительным моментом было и более высокая энергоэффективность - на уровне 1,8 В. И если на общей картине энергопотребления компьютера это едва ли хоть как-то сказывалось, то на срок службы (особенно при интенсивной работе железа) это влияло сугубо положительно.
Однако технологии перестали быть таковыми, если бы не развивались в дальнейшем. Именно это и случилось с появлением следующего поколения DDR3 в 2007 году, задачей которого было постепенное, но уверенное вытеснение с рынка устаревающей DDR2. Однако действительно ли это "устаревание" означает полную неконкурентоспособность с новой технологией?
Помимо традиционной обратной несовместимости, DDR3 представлял ряд нескольких технических нововведений в стандарты оперативной памяти:
Вместе с новой архитектурой также повысились тайминги, однако падение производительности от этого нивелируется более высокими рабочими частотами.
Покупатель - не инженер-разработчик; помимо технических характеристик покупателю не менее важна будет и цена самого продукта.
На старте продаж нового поколения любого компьютерного железа его стоимость стандартно окажется более высокой. Та же самая оперативная память нового типа поначалу приходит на рынок с очень большой ценовой разницей по сравнению с предыдущим.
Однако же прирост в производительности между поколениями в большинстве приложений если и вообще не отсутствует, то составляет просто смешные показатели, явно не достойные больших переплат. Единственный верный момент для перехода на новое поколение оперативки - максимальное падение его ценника до уровня предыдущего (такое в сегменте продаж SDRAM происходит всегда, это же было в случае с DDR2 и DDR3, это же сейчас произошло в случае с DDR3 и новенькой DDR4). И только лишь тогда, когда цена переплаты между последним и предыдущим поколением будет составлять самый минимум (что адекватно для небольшого прироста производительности), то только в этой ситуации можно задумываться о замене оперативной памяти.
В свою очередь, владельцам компьютеров с DDR2-памятью обзаводиться новым типом оперативки рациональнее всего только при основательном апгрейде с соответствующей поддерживающего этот самый новый тип, и новой материнской платой (и то на сегодняшний день имеет смысл апгрейдиться до уровня компонентов, поддерживающих DDR4-память: ее нынешняя цена находится наравне с DDR3, а прирост между четвёртым и вторым поколением будет куда более ощутимым, нежели между третьим и вторым).
В ином же случае, если подобный апгрейд пользователем совершенно никак не запланирован, то вполне можно обойтись той же DDR2, цена на которую сейчас относительно низкая. Достаточно будет лишь увеличить при необходимости общий объём оперативки аналогичными модулями. Допустимые лимиты памяти этого типа даже сегодня с лихвой покрывают все нужды большинства юзеров (в большинстве случаев достаточно будет установки дополнительного модуля DDR2 2Gb), а отставание в производительности со следующими поколениями совершенно некритичными.
Минимальные цены на модули оперативной памяти (учтены только образцы проверенных брендов Hynix, Kingston и Samsung) могут варьироваться в зависимости от региона проживания покупателя и выбранного им магазина.
Память DDR3 постепенно сдает свои позиции как наиболее массовая и для сборки новых систем уже не рекомендуется. Другое дело, если стоит задача модернизировать слегка устаревший компьютер, причем в рамках ограниченного бюджета. Понятное дело, подобные условия исключают из перечня вариантов максимально разогнанные комплекты памяти, и в нашем обзоре они не рассматриваются.
Примечательно, что в рамках платформы Intel гонка за мегагерцами особого смысла также не имеет. Исключением здесь являются достаточно специфические задачи, которые для большинства пользователей интереса не представляют. С другой стороны, разница в цене комплектов памяти одного объема, но с разной тактовой частотой исчезающе мала (в диапазоне от 2133 до 3000 МГц, разумеется). Так почему бы и не выбрать набор оперативной памяти пошустрее, на перспективу?
Совершенно иначе обстоит дело с новейшей платформой AMD . Из-за особенностей своей внутренней архитектуры, производительность процессоров Ryzen напрямую зависит от рабочей частоты шины памяти Infinity Fabric, следовательно, и ее контроллера. В свою очередь, частота последнего «привязана» к характеристикам установленных модулей и может быть увеличена за счет разгона.
Крайне неприятный нюанс выбора модулей памяти для Ryzen заключается в том, что далеко не любой комплект заработает в такой системе даже на своей номинальной тактовой частоте. Здесь уже проблема в особенностях архитектуры самих модулей. Кратко, рекомендации можно свести к двум советам: ориентируйтесь на одноранговые планки памяти и на самую свежую ревизию BIOS для материнской платы. Чем новее в ней протокол AGESA — тем лучше. Имейте в виду, двухранговая память с Ryzen всегда будет работать на пониженных частотах, а ранние версии указанного протокола «дружелюбно» воспринимают только модули, построенные на основе чипов Samsung. Причем не любых, а исключительно поколения B-Die.
Удачного апгрейда!
Дата публикации:
25.06.2009
Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.
В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.
Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:
Рассмотрим маркировки
Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.
DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM
(Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.
В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).
Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.
На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.
Частоты передачи данных для типов памяти:
Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800 .
Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.
Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.
Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.
Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)
Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с
На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).
В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.
Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.
Название модуля | Частота шины | Тип чипа | |
PC2-3200 | 200 МГц | DDR2-400 | 3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с |
PC2-4200 | 266 МГц | DDR2-533 | 4200 МБ/с или 4.2 ГБ/с |
PC2-5300 | 333 МГц | DDR2-667 | 5300 МБ/с или 5.3 ГБ/с 1 |
PC2-5400 | 337 МГц | DDR2-675 | 5400 МБ/с или 5.4 ГБ/с |
PC2-5600 | 350 МГц | DDR2-700 | 5600 МБ/с или 5.6 ГБ/с |
PC2-5700 | 355 МГц | DDR2-711 | 5700 МБ/с или 5.7 ГБ/с |
PC2-6000 | 375 МГц | DDR2-750 | 6000 МБ/с или 6.0 ГБ/с |
PC2-6400 | 400 МГц | DDR2-800 | 6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с |
PC2-7100 | 444 МГц | DDR2-888 | 7100 МБ/с или 7.1 ГБ/с |
PC2-7200 | 450 МГц | DDR2-900 | 7200 МБ/с или 7.2 ГБ/с |
PC2-8000 | 500 МГц | DDR2-1000 | 8000 МБ/с или 8.0 ГБ/с |
PC2-8500 | 533 МГц | DDR2-1066 | 8500 МБ/с или 8.5 ГБ/с |
PC2-9200 | 575 МГц | DDR2-1150 | 9200 МБ/с или 9.2 ГБ/с |
PC2-9600 | 600 МГц | DDR2-1200 | 9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с |
Тип памяти | Частота памяти | Время цикла | Частота шины | Передач данных в секунду | Название стандарта | Пиковая скорость передачи данных |
DDR3-800 | 100 МГц | 10.00 нс | 400 МГц | 800 млн | PC3-6400 | 6400 МБ/с |
DDR3-1066 | 133 МГц | 7.50 нс | 533 МГц | 1066 млн | PC3-8500 | 8533 МБ/с |
DDR3-1333 | 166 МГц | 6.00 нс | 667 МГц | 1333 млн | PC3-10600 | 10667 МБ/с |
DDR3-1600 | 200 МГц | 5.00 нс | 800 МГц | 1600 млн | PC3-12800 | 12800 МБ/с |
DDR3-1800 | 225 МГц | 4.44 нс | 900 МГц | 1800 млн | PC3-14400 | 14400 МБ/с |
DDR3-2000 | 250 МГц | 4.00 нс | 1000 МГц | 2000 млн | PC3-16000 | 16000 МБ/с |
DDR3-2133 | 266 МГц | 3.75 нс | 1066 МГц | 2133 млн | PC3-17000 | 17066 МБ/с |
DDR3-2400 | 300 МГц | 3.33 нс | 1200 МГц | 2400 млн | PC3-19200 | 19200 МБ/с |
В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) - номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:
На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston
семейства ValueRAM:
Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):
По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.
По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.
Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3
. Цифра в конце обозначает, что время доступа - 3 нс (0.003 мс).
По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T
: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше - 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.
Тайминги - это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше - тем быстрее работает модуль.
Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру - представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.
Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые - для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.
Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD ), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL ), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP ). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).
Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15 . В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл - 15 нс с момента активизации строки.
Главным таймингом считается CAS latency , который часто обозначается сокращенно CL=5 . Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.
Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.