Память DIMM

DIMM (SDRAM , Synchronic DRAM, Dual In line Memory Module, - "синхронная DRAM" - динамическое ОЗУ с синхронным интерфейсом. SDRAM - синхронная память "первого поколения", имеют пропускную способность порядка 100 Mb/s и представляет собой модуль памяти с двумя рядами контактов. Внешне похожи на SIMM-ы. Синхронизация отличает SDRAM от работающих по асинхронному интерфейсу (FPM/EDO/BEDO DRAM).

Помимо синхронного метода доступа, SDRAM использует внутреннее разделение массива памяти на два независимых банка (т.е имеют раздельные контакты - обычно 2x84), что позволяет увеличивать разрядность - т.е. в итоге совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом банке. SDRAM также поддерживает блочный обмен.

Применяется как в IBM-совместимых PC (в основном - платах под Pentium III), так и в компьютерах Apple. Возможна и установка SDRAM для процессора Intel Pentium 4 (существует чипсет i845 с поддержкой данного типа памяти).

В отличии от SIMM DIMM вдавливается в разъем и "накрывается" рычажками, с помощью которых и вытаскивается.

Присутствие слова dial означает независимость контактов с двух сторон. Все разновидности обычных DIMM-ов имеют одинаковое (168) число контактов (168-ми, рассчитанные на ширину шины 64 бит) и форм-фактор, и различаются только "ключами" (вырезки по бокам).

Устанавливать модули DIMM совместно с модулями типа SIMM (т.е. вместе на m/b) не рекомендуется в связи с тем, что модули DIMM питаются от 3.3 вольт, а SIMM - от 5. При этом большинство материнских плат имеют общее питание для слотов SIMM и DIMM. В связи с этим, при установке модулей в оба типа разъемов, на DIMM будет подаваться повышенное напряжение 5 вольт (может привести к выходу из строя чипов).

Цифры - это и спецификация (напр. стандарт PC 100), и частота работы модуля (напр. 100 МГц). Во многих старых материнских платах можно использовать также частоты 75 MHz и 83 MHz, но - на страх и риск пользователя. Оверклокеры использовали также значения 103, 112, 124 MHz. Применение повышенной частоты шины и нормальная работа m/b-периферии, как правило, никем не гарантировалось.

Первую полную спецификацию на DIMM-модули (это были PC-100) выпустила Intel при подготовке чипсета i440BX (с тактовой частотой системной шины 100 MHz) в 1998 году.

Спецификация до сих пор является самой полной из всех существующих на сегодняшний день спецификаций модулей памяти. Вместе с дополнением, детально описывающим программирование EEPROM для модулей SDRAM, она занимает больше 70 страниц! Начальная спецификация PC133 была также выпущена Intel-ом в конце 1999 года и реально отличается от PC100 только параметрами быстродействия. Но еще в ноябре 1996г. Intel официально встал на сторону Direct Rambus, заявив, что следующим после PC100 SDRAM стандартом станет RDRAM. PC133 SDRAM поддерживала компания Via и c учетом колоссальных проблем Rambus-а на тот момент (с процентом выхода годных чипов) - победила.

Шины памяти в 66МГц и 100 МГц - устарели. Все модули PC133 содержат чипы со временем доступа от 7.5 нс и меньше, что гарантирует беспроблемную работу на 133 Мгц. 133-МГц чипы совместимы со всеми PC100-продуктами. Незначительные различия между PC100 и PC133 стали причинами для обмана потребителей путем нестандартной маркировки. Зачем приобретать новый модуль PC133, если б/у PC100 со временем доступа 7 нс тоже сможет работать на 133Мгц? Модули со временем доступа 7 нс и менее вполне работоспособны на 150Мгц. Здесь критерием выбора становится качество изготовления всего модуля DIMM и имя фирмы-производителя. Т.е Brand-овская PC133 практически всегда держит 150 МГц.

Кроме частоты, модули DIMM подразделяются по напряжению питания и алгоритму работы. Стандартными является небуферизированные модули с напряжением питания 3,3 вольта. Небуферизованный DIMM может содержать память типа SDRAM, BEDO, EDO и FPM , иметь ширину 64 или 72 бита данных для контроля четности, а также 72 и 80 бит для ECC.

Эти модули отличаются от остальных положениями ключей (пропилов) в контактной линейке. Т.е. если посмотреть на модуль с лицевой стороны (где чипы), то левый ключ (пропил) должен быть в крайнем правом положении, а средний - в среднем положении. Левый ключ определяет, является ли модуль буферизированым, а средний - определяет напряжение питания. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с не буферизованными.

В соответствии со спецификацией JEDEC, в модулях DIMM необходима реализация технология PD. Делается при помощи перезаписываемого ПЗУ с последовательным доступом (Serial EEPROM) и носит название Serial Presence Detect (SPD). ПЗУ представляет собой 8-выводную микросхему, размещенную в углу DIMM-a, а его содержимое описывает конфигурацию и параметры модуля. Т.е. визуально SPD - это небольшой "лишний" чип на модуле.

Системные платы с некоторыми chiset`ами (напр. 440LX/BX) могут использовать SPD для настройки системы управления памятью. Некоторые системные платы могут обходиться без SPD, определяя конфигурацию модулей обычным путем - это стимулирует выпуск рядом производителей DIMM без ПЗУ, не удовлетворяющих спецификации JEDEC.

Известность SPD получил после того, как ряд материнских плат (например, Intel AL440LX) отказались работать с "ширпотребными" DIMM-ами. По сути дела это означало инспирированную Intel попытку возродить использование PRD (теперь в виде SPD). 440LX проверял не только собственно SPD, но и "информацию от производителя", по поводу которой был разработан специальный закрытый стандарт, так что даже DIMM с корректным SPD могли быть им отвергнуты. Впрочем, попытка не имела особого успеха, так как функция контроля SPD задействована далеко не во всех современных материнских платах.

HSDRAM , Enhanced High Speed SDRAM - усовершенствованная высокоскоростная SDRAM (DIMM-ы) на частоте шины 150 МГц и выше (в зависимости от типа чипсета). Т.е. HSDRAM - более высококачественные чипы, чем нормальные SDRAM. И раньше были единственные "PC150" DIMM - модули Kingmax . В сентябре 2000г. компании Enhanced Memory Systems (подразделение Ramtron International )и Mushkin объявили о выпуске новых SDRAM DIMM модулей - с частотой 150 и установкой 2-3-2 (CAS, CAS-to-RAS, RAS, clock access time - 4.5 нс). Установкой или таймингом называют время отклика памяти на различные запросы. HSDRAM-модули смогут работать с этими же таймингами на частотах вплоть до 166 МГц. HSDRAM не имеет буфера и обеспечивает малое время задержки, чем достигается высокая производительность. Теоретически, пропускная способность памяти, работающей на частоте 150MHz, равна 150MHz*8 байт (т.к. ширина шины 64 бита) = 1200MB/s (1.2GB/s). Ну что же, по сравнению с 1.066GB/s у PC133 очень неплохо. Но, младший DDR PC1600 со своими 1.6GB/s все же быстрее.

Выигрыш HSDRAM по сравнению с hi-end системами на базе PC-100 и Direct Rambus DRAM составил от 28% до 49% (по разным показателям).

Small Outline DIMM, SO DIMM - разновидность DIMM малого размера, предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров (notebook, ноутбуках) и иногда для принтеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно).

Полное наименование - 144pin SODIMM SDRAM и 72pin SODIMM SDRAM. 144-контактные SO DIMM имеют ключ "со смещением", ответственный за напряжение, т.е ключи (и соответствующие выступы) смещены вдоль, что сделало невозможным установку "неправильного" модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство.

GF1000 DIMM . Компания Samsung разрабатывает новую технологиею DRAM для графических процессоров. Кодовое название памяти - GF1000, пропускная способность памяти - 2-4 Гбит/с, напряжение питания - 1,8 В. В продаже память появится в 2004 году.

Обычные виды SDRAM и DRAM называют также асинхронными - потому, что установка адреса, подача управляющих сигналов и чтение/запись данных могут выполняться в произвольные моменты времени - необходимо только соблюдение временнЫх соотношений между этими сигналами. В эти временные соотношения включены так называемые охранные интервалы, необходимые для стабилизации сигналов, которые не позволяют достичь теоретически возможного быстродействия памяти. Существуют также синхронные виды памяти, получающие внешний синхросигнал, к импульсам которого жестко привязаны моменты подачи адресов и обмена данными; помимо экономии времени на охранных интервалах, они позволяют более полно использовать внутреннюю конвейеризацию и блочный доступ.

Что такое форм-фактор модуля памяти?

Форм-фактором называется стандарт, который определяет основные показатели модуля памяти (габариты, число и принцип расположения контактов). На рынке существует следующий ряд форм-факторов памяти, они физически несовместимы между собой:

• SIMM;
• DIMM;
• FB-DIMM;
• SODIMM;
• MicroDIMM;
• RIMM .

Рассмотрим их подробнее:

Row Precharge Delay . Данный параметр определяет время повторной выдачи сигнала RAS. За это время контроллер памяти способен повторно выдать сигнал инициализации адреса строки.

Что такое tRCD?

RAS to CAS Delay - время задержки между определяющими сигналами адреса строки/столбца.

Что такое tRAS?

Activate to Precharge Delay - минимальное число циклов между активацией (RAS) и подзарядкой (Precharge) одного и того же банка памяти.

Что такое CAS Latency (CL)?

Данный показатель обозначает временную задержку между отправкой адреса строки/столбца в память и моментом запуска процесса передачи данных. Это время, которое необходимо для чтения первого бита памяти при открытой нужной строке.

CAS - число тактов от момента запроса данных до момента их считывания. Является одной из ключевых характеристик модуля памяти. По сути, данный показатель определяет ее быстродействие. Чем ниже показатель , тем выше работоспособность памяти.

Тут в очередной раз у меня спросили, как по внешнему виду можно определить тип оперативной памяти. Т.к. такой вопрос всплывает периодически, я решил, что лучше один раз показать, чем сто раз объяснять на пальцах, и написать иллюстрированный мини-обзорчик типов оперативной памяти для PC.

Не всем это интересно, по-этому прячу под кат. Читать

Самые распространённые типы оперативной памяти которые применялись и применяются в персональных компьютерах в обиходе называются SIMM, DIMM, DDR, DDR2, DDR3. SIMM и DIMM вы вряд ли уже встретите, а вот DDR, DDR2 или DDR3 сейчас установлены в большинстве персональных компьютеров. Итак, по порядку

SIMM

SIMM на 30 контактов. Применялись в персональных компьтерах с процессорами от 286 до 486. Сейчас уже является раритетом.SIMM на 72 контакта. Память такого типа была двух видов FPM (Fast Page Mode) и EDO (Extended Data Out).

Тип FPM использовался на компьютерах с процессорами 486 и в первых Pentium до 1995 года. Потом появился EDO. В отличие от своих предшественников, EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.

Конструктивно они одинаковы, отличить можно только по маркировке. Персоналки, поддерживавшие EDO, могли работать и с FPM, а вот наоборот — далеко не всегда.

DIMM

Так называли тип памяти SDRAM (Synchronous DRAM). Начиная с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его очень популярным вплоть до 2001 года. Большинство компьютеров с процессорами Pentium и Celeron использовали именно этот вид памяти.

DDR

DDR (Double Data Rate) стал развитием SDRAM. Этот вид модулей памяти впервые появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.

DDR2

DDR2 (Double Data Rate 2) — более новый вариант DDR, который теоретически должен быть в два раза более быстрым. Впервые память DDR2 появилась в 2003 году, а чипсеты, поддерживающие ее — в середине 2004. Основное отличие DDR2 от DDR — способность работать на значительно большей тактовой частоте, благодаря усовершенствованиям в конструкции. По внешнему виду отличается от DDR числом контактов: оно увеличилось со 184 (у DDR) до 240 (у DDR2).

DDR3

Как и модули памяти DDR2, они выпускаются в виде 240-контактной печатной платы (по 120 контактов с каждой стороны модуля), однако не являются электрически совместимыми с последними, и по этой причине имеют иное расположение «ключа».

Ну и наконец, есть еще один вид оперативной памяти — RIMM (Rambus). Появился на рынке в 1999 году. Он основан на традиционной DRAM, но с кардинально измененной архитектурой. В персональных компьютерах этот тип оперативки не прижился и применялся очень редко. Такие модули применялись еще в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64.

SIMM на 30 контактов.

В большинстве магазинов компьютерной электроники клиента, пришедшего за планками оперативной памяти, первым делом просто спросят, куда он собрался их вставлять. Именно область применения – то главное, чем отличается DIMM от SODIMM, а технические характеристики – уже не слишком значимые для обывателя частности.

С этим разобраться несложно: формфактор модулей памяти DIMM предназначен для установки в полноразмерные настольные системы, SODIMM размещается в корпусах ноутбуков, оргтехники и других компактных систем. И первый, и второй тип представляют собой печатную плату с контактами и микрочипами памяти DRAM.

Что мы видим, когда переводим взгляд с системного блока full tower на ноутбук или mini-ITX? Значительную разницу в размерах. Естественно, в маленьких корпусах место для комплектующих ограничено, поэтому их по возможности делают миниатюрными. Основное физическое отличие DIMM от SODIMM – увеличенная длина и, как следствие, больше контактов.

Сравнение

Вот так выглядят планки ОЗУ DIMM и SODIMM в сравнении:

Сразу заметно, насколько короче модули, предназначенные для компактных систем. Формфактор строго регламентируется, поэтому длина всех DIMM, независимо от типа памяти, составляет 133,35 мм, а SODIMM – 67,6 мм.

На модулях памяти обязательно есть прорези-ключи, блокирующие установку в неподходящий интерфейс, а также вырезы для крепления защелок порта. У SODIMM их по одному с каждого торца, расположены они в 20 мм от края с контактами. У DIMM – по два, один на высоте 9,5 мм, другой – 17,3 мм (для актуальной DDR3).

У модулей DIMM больше контактов: для DDR3 их количество составляет 240 пин против 204 у SODIMM, для DDR4 – 288 пин и 260 пин соответственно. Остальные технические характеристики планок ОЗУ зависят от конкретной модели: тайминги памяти, частота работы, емкость могут быть практически любыми.

Некоторое время назад ответ на вопрос, в чем разница между DIMM и SODIMM, почти обязательно содержал указание на напряжение питания. Действительно, раньше большинство компактных систем в целях оптимизации энергопотребления подавали к ОЗУ 1,35 В, тогда как полноразмерные модули требовали 1,5 В. Сегодня, несмотря на сохранение этого различия для некоторых моделей, большинство планок DDR3 питаются от 1,5 В независимо от формфактора.

Мы приветствуем всех вас, уважаемые посетители сайта сайт. Как вы знаете, понятие "персональный компьютер" относится не только к настольным системам стационарного типа, но и к более компактным, мобильным устройствам. Мы имеем в виду всевозможные ноутбуки, нетбуки, ультрабуки и т.д. Одним из основных компонентов любого переносного ПК является оперативная память. В целом, оперативная память для ноутбука весьма схожа с ОЗУ для вычислительного комплекса традиционного типа, но в то же время она имеет несколько заметных отличий. Большинство современных ноутбуков способны работать с печатными планками скоростной памяти формата SODIMM (SO-DIMM). Установка дополнительной оперативной кэш-памяти стандарта SODIMM DDR3 способно существенно повысить быстродействие вашей мобильной компьютерной системы, поэтому апгрейд ноутбука следует начинать именно с этой довольно простой технической процедуры.

Модули оперативной памяти формата SODIMM предназначены для персональных компьютеров переносного типа. Такие планки по форме немного отличаются от тех же оперативно запоминающих устройств для стационарных машин. Как правило, производители ноутбуков стараются сделать свои инженерно-технические решения как можно компактными, а это значит, что все их компоненты должны занимать минимальный объем внутреннего пространства. Учитывая данный факт, разработчики девайсов для RAM памяти каждый день создают все больше интересных моделей. Модули ОЗУ форм-фактора SODIMM почти вдвое короче и немного шире, чем стандартные платы DIMM. Одним из важнейших характеристик данных компьютерных комплектующих считается их тип памяти. Именно этот параметр определяет принадлежность того или иного продукта к определенному поколению оперативно запоминающих устройств.

На сегодняшний день, в этой сфере наиболее актуальной разработкой для мобильных персональных компьютеров является оперативная память стандарта SODIMM DDR3 . Здесь параметр DDR3 указывает на принадлежность памяти модуля ОЗУ к третьему поколению. Сейчас большинство ПК оборудуются данным типом высокоскоростной динамической памяти. Она способна не только повысить мощность системы, но и предоставить вашему компьютеру удвоенную скорость обмена цифровой информации. В магазинах компьютерных комплектующих имеется масса разнообразных планок для ноутбуков и других мобильных комплексов. Перед тем, как совершить покупку вам необходимо знать основные правила подбора оперативно запоминающих устройств. Благодаря нашим нескольким рекомендациям даже начинающий пользователь компактного ПК сможет самостоятельно произвести небольшой апгрейд своей электронной техники.

Казалось бы, чего тут сложного - подобрал и прикупил себе понравившиеся устройства временной памяти. На самом деле есть парочка нюансов, которые могут омрачить ваш поход в компьютерный салон. Первым важнейшим параметром является формат этих мини плат. В нашем случае нужно искать компоненты форм-фактора SODIMM (не DIMM). Далее следует определиться с типом используемой в устройстве энергозависимой кэш-памяти. В основном, все новейшие ноутбуки работают только с модулями ОЗУ последнего поколения, т.е. DDR3. Безнадежно устаревшая ревизия памяти RAM DDR2 теперь встречается очень редко, т.к. технический прогресс не стоит на месте. Чтобы на портативных системах запускать свежее программное обеспечение требуется все больше аппаратных мощностей, а это значит, что нужны устройства с повышенными показателями рабочей частоты и виртуального объема.

Каждый новый стандарт оперативной памяти, в отличии от предыдущего, имеет увеличенную частоту. Например, формат DDR способен работать на 400 МГц, DDR2 на 800 МГц, а самый распространенный тип RAM памяти уровня DDR3 на частоте от 1333 МГц. Конечно же, оперативно запоминающие устройства для ноутбуков формата SODIMM DDR3 способны работать в широком частотном спектре. Чем выше данный показатель, тем лучше для вашей мобильной системы. При покупке новых планок для своего ноутбука пользователь должен точно знать значения того частотного интервала памяти, который поддерживает печатная материнская его переносного компьютера. Эту информацию вы можете получить на сайте производителя данного товара. Как только решится вопрос с совместимостью оборудования, следует перейти к выбору объема приобретаемого устройства. Здесь действует аналогичное правило, как и в случае с номинальной частотой ОЗУ.

В отличии от настольного ПК, системная база ноутбука способна выделить под оперативную память всего лишь 2-3 специальных слота. Тем не менее, производители данных высокотехнологичных вычислительных машин утверждают, что современный ноутбук может быть укомплектован 16 или 32 гигабайтами временной памяти. Если сейчас в свободной продаже трудно найти планки с общим объемом 16 Гб, то 8 гигабайтовые компьютерные компоненты есть практически в каждом гипермаркете цифровой электроники. 8 Гб оперативки, как показывает практика, вполне хватает для выполнения повседневных задач. Любителям максимального быстродействия мы порекомендуем укомплектовать свою мобильную технику двумя модулями оперативки по 8 Гб. Большой объем памяти RAM непременно сыграет свою роль в обеспечении максимальной производительности на портативной платформе.