Amplificadores de RF domésticos. Amplificador RF (alta frecuencia)

12.07.2023

Continuamos la conversación sobre el receptor de transistores de amplificación directa, que comenzó en el séptimo taller. Luego, al conectar el receptor del detector a un amplificador de baja frecuencia de una sola etapa, los convirtió en un receptor 0-V-1. Luego monté un receptor réflex de un solo transistor y en el taller anterior le agregué un amplificador de baja frecuencia de dos etapas; el resultado fue un receptor 1-V-3. Ahora intente agregarle una etapa de preamplificador modulada de alta frecuencia (HF) para convertirlo en un receptor 2-V-3. La sensibilidad en este caso será suficiente para recibir en la antena magnética no solo estaciones de radiodifusión locales sino también distantes.

¿Qué se requiere para un amplificador de RF de una sola etapa? Básicamente, un transistor de baja potencia y alta frecuencia de cualquiera de las series P401...P403, P416, P422, GT308, siempre que esté en buen estado de funcionamiento, varios condensadores, una resistencia y un anillo de ferrita de grado 600NN con un diámetro exterior de 8...10 mm. El coeficiente h21E del transistor puede estar en el rango de 50...100. No debe utilizar un transistor con un gran coeficiente de transferencia de corriente estática; un amplificador experimentado será propenso a la autoexcitación.

El diagrama del circuito del amplificador se muestra en la Fig. 56. El amplificador en sí está formado únicamente por un transistor. V1 y resistencias R1, R2. Resistor R2 actúa como una carga, y la resistencia base R1 Determina el modo de funcionamiento del transistor. La carga del colector del transistor puede ser un estrangulador de alta frecuencia, igual que en un receptor réflex.

Contorno personalizado l1 C1 y bobina de comunicación l2 consulte el circuito de entrada, condensador C2- dividiendo. Esta parte es una repetición exacta de la parte de entrada del receptor que ya probó. Condensador inmediatamente, resistencia R, diodo V2, Los telefonos B1 El condensador de bloqueo Sbl forma un circuito detector necesario para probar el amplificador.

¿Cómo funciona un amplificador así? Básicamente lo mismo que un amplificador de baja frecuencia de una sola etapa. Solo amplifica, no las oscilaciones de frecuencia de audio, como ese amplificador, sino las oscilaciones de alta frecuencia moduladas que llegan desde la bobina de acoplamiento. l2. La señal de alta frecuencia, amplificada por el transistor, se asigna a la resistencia de carga. R2 (u otra carga de colector) y se puede alimentar a la entrada de una segunda etapa para una amplificación adicional o a un detector para convertirla en una señal de baja frecuencia.

Monte las piezas del amplificador en una placa temporal (cartón), como se muestra a la derecha en la Fig. 56. Muévete aquí y conecta las partes del circuito de entrada (L1C1) y la bobina de comunicación (L2) del receptor al amplificador. No olvide incluir un condensador de aislamiento en el circuito de la bobina de acoplamiento. C2. Conecte el voltaje de la batería 9V y, eligiendo una resistencia base R1, establezca la corriente del colector del transistor entre 0,8...1,2 mA. No lo olvide: la resistencia de la resistencia base debe ser mayor cuanto mayor sea el coeficiente de transferencia de corriente estática del transistor (el valor de esta resistencia indicado en el diagrama corresponde al coeficiente h21E transistor alrededor de 50).

Ahora monte un circuito detector en un cartón pequeño separado, conectando en serie los teléfonos B1 con un condensador de bloqueo Sbl con una capacidad de 2200..3300 pF, un diodo puntual V2 cualquier serie y condensador nyu separador inmediatamente con una capacidad de 3300...6800 pF, resistencia de resistencia R tal vez 4,7...6,8 kOhmios. Conecta este circuito entre el colector y emisor del transistor, es decir, a la salida del amplificador, y conecta una antena exterior o interior y, por supuesto, puesta a tierra al circuito de entrada L1C1. Al sintonizar el circuito de entrada con la onda de una estación de radio local, el transistor amplificará su señal de alta frecuencia. VI, detectado por diodo V2 y convertido por teléfonos EN 1 en sonido. Resistor R en este circuito es necesario para el funcionamiento normal del detector. Sin él, los teléfonos sonarán más silenciosos y distorsionados.

Para el próximo experimento con un amplificador de RF, se necesita un transformador reductor de alta frecuencia (Fig. 57). Enróllelo en un anillo de ferrita de grado 600NN (el mismo que el núcleo del estrangulador de alta frecuencia de la etapa refleja del receptor). Su devanado primario l3 debe contener 180..200 vueltas de cable PEV o PEL 0.1...0.12, y el secundario L 4 60...80 vueltas del mismo cable.

Conecte el devanado L3 del transformador de alta frecuencia al circuito colector del transistor en lugar de a la resistencia de carga, y a su devanado. l4 Conecte el mismo circuito detector que en el experimento anterior, pero sin el condensador de acoplamiento ni la resistencia, que ahora no son necesarios. ¿Cómo suena ahora? ¿Los telefonos? Más fuerte. Esto se explica por una mejor adaptación de la impedancia de salida del amplificador y la impedancia de entrada del objetivo del detector que en el primer experimento.

Y ahora, usando el diagrama que se muestra en la Fig. 58, conecte este amplificador de una etapa a la entrada del transistor receptor réflex 1-V-3. El amplificador del receptor de RF pasó a ser de dos etapas. El elemento conector entre las cascadas fue la bobina. l4 transformador de alta frecuencia incluido en el circuito base del transistor V 2 (en el receptor 1-V-Z se utilizó el transistor W1) en lugar de la bobina de comunicación (había l2) con el antiguo circuito configurable de entrada. Ahora no se necesitan antena externa ni conexión a tierra: la recepción se realiza mediante la antena magnética W1. cuya función: la realiza una varilla de ferrita con una bobina ubicada en ella l1 circuito configurable de entrada l1 C1.

Entonces, junto con un amplificador de baja frecuencia de dos etapas, se entrenó un receptor de amplificación directa de cuatro transistores 2-U-W. El receptor puede estar autoexcitado. Esto se debe, en primer lugar, a que es reflexivo y los receptores reflexivos generalmente son propensos a la autoexcitación y, en segundo lugar, a que los conductores que conectan la cascada del amplificador experimental con la cascada refleja son largos. Si la nueva etapa, junto con la antena magnética, se monta de forma compacta en la misma placa del receptor, haciendo que los circuitos sean lo más cortos posible, habrá menos motivos de autoexcitación. Esto también se ve facilitado por la celda filtrante desacoplada. R2 C3 en el circuito de potencia negativo del primer transistor del amplificador de RF, lo que elimina la conexión entre las etapas a través de una fuente de litio común y así evita la autoexcitación de la ruta de alta frecuencia del receptor.

Pero la segunda etapa del amplificador de RF puede ser la misma que la primera, es decir, no reflexiva, y la conexión entre ellas puede no ser un transformador. El diagrama de una posible versión del amplificador se muestra en la Fig. 59. Aquí la carga del transistor. V1 la primera etapa, como en el primer experimento de este taller (ver Fig. 56), es la resistencia R2; El voltaje de la señal de alta frecuencia creado a través de él a través de un capacitor. noroeste suministrado a la base del transistor V2 la segunda cascada, exactamente igual que la primera. La señal, además amplificada por el transistor de la segunda etapa, se retira de su resistencia de carga. R4 ( lo mismo; como r 2) y a través del condensador C 4 (como NOROESTE) va al detector en el diodo V 3, es detectado por él, y las oscilaciones de baja frecuencia creadas a través de su resistencia de carga R5, se alimentan a la entrada del amplificador de bajo.

En esta versión, la segunda cascada y el detector son como una cascada refleja desplegada de la versión anterior. Pero el transistor sólo amplifica las oscilaciones de alta frecuencia. Y si lo conectas a un amplificador de baja frecuencia de dos etapas, obtienes un receptor de amplificación directa. 2- V-2. La amplificación de la señal de baja frecuencia disminuirá un poco, los teléfonos o el altavoz a la salida de dicho receptor sonarán un poco más silenciosos, pero se reducirá el peligro de autoexcitación de su trayectoria de alta frecuencia. Esta pérdida se puede compensar parcialmente aumentando el voltaje de la señal de baja frecuencia en la salida del detector incluyendo un segundo diodo en la cascada del detector (que se muestra con líneas discontinuas en la Fig. 59). V4), como lo hizo en uno de los experimentos en el séptimo taller (ver Fig. 50), o use un transistor en la cascada de detectores.

Intente experimentar con opciones de amplificadores de baja frecuencia, compare la calidad de su trabajo y saque conclusiones adecuadas para el futuro.

Un consejo más. Cuando experimente con una u otra versión del receptor, dibuje y recuerde su diagrama de circuito completo. ¿Para qué? Un radioaficionado, incluso un principiante, debe dibujar de memoria los diagramas de dichos dispositivos. El diagrama del circuito también le ayudará a comprender mejor el funcionamiento del receptor en su conjunto y sus partes, y facilitará la búsqueda de fallos en el mismo.

Literatura: Borisov V.G. Taller para radioaficionados principiantes 2ª ed., revisada. y adicional - M.: DOSAAF, 1984. 144 p., enfermo. 55k.

Amplificador de potencia 10W

El amplificador está diseñado para funcionar con un transver que tenga una salida P de hasta 1 vatio. La carga del excitador, que garantiza un funcionamiento estable en todos los rangos, es la resistencia R1. El ajuste consiste en ajustar la corriente de reposo VT2 dentro de 0,3 A (en ausencia de señal en la entrada).

Una señal de 1 voltio en la entrada aumenta la potencia de salida en la antena a 10 vatios. La conmutación de recepción-transmisión se realiza desde un circuito de control externo, que se cierra a la carcasa al cambiar a transmisión. En este caso, el relé K1 se activa y conecta la antena a la salida del amplificador de potencia. Cuando el circuito de control se rompe, aparece un voltaje positivo en la base de VT1, abriéndolo. En consecuencia, el colector VT1 está cerca de cero. El transistor VT2 se cierra. Relé tipo RPV2/7 pasaporte RS4.521.952 Chokes L1 y L2 tipo D1 (1A) con inductancia 30 y 10 μH, respectivamente. Diámetro del marco L3- 15 mm Cable PEV2 1,5 mm

Amplificador de potencia de banda ancha

Drozdov VV (RA3AO)

Para trabajar en conjunto con un transceptor de HF de banda ancha, puede utilizar un amplificador de potencia de banda ancha, cuyo diagrama de circuito se muestra en la Fig. 1. En el rango de 1,8 a 21 MHz, su potencia de salida máxima en modo telégrafo con una tensión de alimentación de +50 V y una resistencia de carga de 50 ohmios es de aproximadamente 90 W, en el rango de 28 MHz, aproximadamente 80 W. La potencia de salida máxima en el modo de amplificación de banda lateral única con un nivel de distorsión de intermodulación inferior a -36 dB es de aproximadamente 80 y 70 W, respectivamente. Con transistores amplificadores bien seleccionados, el nivel del segundo armónico es inferior a 36 dB, el tercer armónico es inferior a 30 dB en modo de amplificación lineal y menos de 20 dB en modo de máxima potencia.

El amplificador se ensambla mediante un circuito push-pull que utiliza potentes transistores de efecto de campo VT1, VT2. El transformador de línea larga T1 proporciona la transición de una fuente de excitación asimétrica a la entrada simétrica de una etapa push-pull. Las resistencias R3, R4 le permiten igualar la impedancia de entrada de la cascada con una línea coaxial de 50 ohmios con una ROE de no más de 1,5 en el rango de 1,8 -30 MHz. Su baja resistencia proporciona al amplificador una muy buena resistencia a la autoexcitación. Para configurar la polarización inicial correspondiente al funcionamiento de los transistores en modo B, utilice el circuito Rl, R2, R5. Los diodos VD1, VD2 y VD3, VD4 junto con el condensador C7 forman un detector de picos del circuito ALC y protegen los transistores de sobretensiones en el circuito de drenaje. El umbral de funcionamiento de este circuito está determinado principalmente por el voltaje de estabilización del diodo Zener VD9 y está cerca de 98 V. Los diodos VD5-VD8 sirven para la protección "instantánea" del circuito de drenaje contra sobretensiones. El transformador tipo línea larga T3 proporciona la transición de la salida simétrica del amplificador a una carga desequilibrada. Para aliviar los requisitos de banda ancha de este transformador y reducir posibles sobretensiones en el circuito de drenaje, se conecta un filtro de paso bajo simétrico C8L1C10, C9L2C11 con una frecuencia de corte de aproximadamente 30 MHz delante del transformador.

Instalación de un amplificador montado. El amplificador está montado sobre un disipador de calor acanalado fabricado en duraluminio con unas dimensiones de 110x90x45 mm. Las aletas están fresadas a ambos lados del radiador, su número es 2x13, el espesor de cada una es de 2 mm, la altura es de 15 mm del lado de la instalación del transistor y de 20 mm del lado de las tuercas para su fijación. En el eje longitudinal del radiador, a una distancia de 25 mm del eje transversal, se fresan áreas con un diámetro de 30 mm para instalar transistores, y en el reverso, para sujetar tuercas. Entre los transistores, se coloca un bus de "cable común" sobre las aletas del radiador, cortado de una lámina de cobre de 0,5 mm de espesor y fijado a la base del radiador con dos tornillos M3, pasados ​​​​entre las dos nervaduras centrales a una distancia de 10 mm de su bordes. Dimensiones del neumático: 90x40 mm. Los postes de montaje están unidos al autobús. Las bobinas L1 y L2 no tienen marco y están enrolladas con alambre de cobre desnudo de 1,5 mm de diámetro sobre un mandril de 8 mm de diámetro. Con una longitud de bobinado de 16 mm, tienen cinco espiras. El transformador T1 está enrollado con dos cables trenzados PEL.SHO 0,31 con un paso de torsión de aproximadamente tres vueltas por centímetro en un núcleo magnético anular hecho de ferrita M400NN de tamaño estándar K10x6x5 y contiene 2x9 vueltas. Los transformadores T2 y T3 están enrollados sobre núcleos magnéticos anulares de ferrita de la misma marca, tamaño estándar K32x20x6. El transformador T2 contiene 2x5 vueltas de torsión de cables PELSHO 0,8 con un paso de dos vueltas por centímetro, T3 - 2x8 vueltas de dicha torsión. Condensadores Cl - C3 - tipo KM5 o KM6, C4-C7-KM4, C8-C11-KT3.

Configurar un amplificador correctamente ensamblado con piezas reparables se reduce a ajustar las inductancias de las bobinas L1 y L2 para una salida máxima en el rango de 30 MHz comprimiendo o estirando las vueltas de las bobinas y configurando la polarización inicial usando la resistencia R1 para minimizar la distorsión de intermodulación en Modo de amplificación de señal de banda lateral única.

Cabe señalar que el nivel de distorsión y armónicos depende en gran medida de la precisión de la selección de los transistores. Si no es posible seleccionar transistores con parámetros similares, entonces para cada transistor se deben hacer circuitos separados para configurar la polarización inicial y, además, para minimizar los armónicos, seleccionar una de las resistencias R3 o R4 conectando otras adicionales en paralelo. .

En modo de amplificación lineal en los rangos de 14-28 MHz, gracias a la presencia de filtros de paso bajo C8L1C10, C9L2C11, el nivel de armónicos en la salida del amplificador no excede el límite permitido de 50 mW y se puede conectar directamente a la antena. En los rangos de 1,8-10 MHz, el amplificador debe conectarse a la antena a través de un filtro de paso bajo simple, similar al circuito C8L1C10, y dos filtros son suficientes, uno para los rangos de 1,8 y 3,5 MHz, el otro para los rangos de 7 y 10 MHz. La capacidad de ambos condensadores del primer filtro es de 2200 pF, el segundo es de 820 pF, la inductancia de la bobina del primero es de aproximadamente 1,7 μH y la del segundo es de aproximadamente 0,6 μH. Es conveniente hacer bobinas sin marco a partir de alambre de cobre desnudo con un diámetro de 1,5 a 2 mm, enrollado en un mandril con un diámetro de 20 mm (el diámetro de las bobinas es de aproximadamente 25 mm). La primera bobina de filtro contiene 11 vueltas con una longitud de devanado de 30 mm, la segunda, seis vueltas con una longitud de devanado de 25 mm. Los filtros se ajustan estirando y comprimiendo las vueltas de las bobinas para lograr la máxima salida en los rangos de 3,5 y 10 MHz. Si el amplificador se utiliza en modo de sobretensión, se deben activar filtros separados en cada rango.

La entrada del amplificador también se puede combinar con una línea coaxial de 75 ohmios. Para ello, los valores de las resistencias R3, R4 son 39 Ohmios. La potencia consumida por el excitador disminuirá 1,3 veces, pero el límite de ganancia en rangos de alta frecuencia puede aumentar. Para ecualizar la respuesta de frecuencia, se pueden conectar en serie con los condensadores C1 y C2 bobinas con una inductancia seleccionada experimentalmente, que debe ser de aproximadamente 0,1-0,2 μH.

El amplificador se puede cargar directamente en una resistencia de 75 ohmios. Gracias a la acción del bucle ALC, el modo de funcionamiento de subtensión lineal permanecerá, pero la potencia de salida disminuirá 1,5 veces.

Amplificador de potencia en KP904

E. Ivanov (RA3PAO)

Al repetir el amplificador de potencia UY5DJ (1), resultó que el componente más crítico que reduce la confiabilidad de todo el amplificador es la etapa de salida. Después de experimentar con varios tipos de transistores bipolares, tuve que cambiar a los de efecto de campo.

Se tomó como base la etapa de salida del amplificador de banda ancha UT5TA (2). El diagrama se muestra en la Fig. 1. Los nuevos detalles se resaltan con líneas más gruesas. Una pequeña cantidad de piezas hizo posible montar la cascada en una placa de circuito impreso y un disipador de calor del UY5DJ en lugar de las piezas y transistores del amplificador UY5DJ. La corriente de reposo de los transistores es de 100...200 mA.


Esto es algo necesario, especialmente si es necesario elevar el nivel de la señal de RF en el rango de 45 a 860 MHz y distribuirla a varios consumidores: televisores, sintonizadores, música. centros, etc Esto es especialmente cierto para los paquetes digitales, porque... Cuando el nivel de señal es bajo, los dispositivos (TV digital y sintonizador) dejan de funcionar.

Sitio web oficial del fabricante.

Características:

Rango de frecuencia (MHz) 45~860
Ganancia nominal (dB) 30±2
Planicidad en banda (dB) ±0,75
Nivel de salida máximo (dBμV) 109
Nivel de entrada nominal (dBμV) 72
Rango de ajuste de ganancia (dB) 0~10
Preajuste de pendiente (dB) 3~18
Factor de ruido (dB) ≤5
Pérdida de retorno (dB) ≥10
fuente de alimentación 220V~ 50-60Hz
consumo de energía (W) 2
Número de salidas 3
Medidas: 135*78*38mm

El amplificador en sí estaba en una caja de cartón. El set de entrega incluye adaptadores de conexión con 4 anillos de engarce. y un adaptador para el enchufe, porque Equipado con un enchufe con terminales planos.
El amplificador tiene 3 salidas de señal para 3 consumidores (aunque existen otras modificaciones para un número diferente de salidas, consulte el sitio web oficial arriba). El cuerpo es de aluminio, desmontable con tornillos. En el exterior de la carcasa hay dos orificios en los bordes de la carcasa para el montaje.

Fuente de alimentación con transformador incorporado. Indicación de alimentación: LED rojo. Vista del amplificador sin la tapa. Hay 5 piezas instaladas en el tablero. Transistores SMD marcados como R24. (Solucionado, gracias niño_alex para obtener información sobre transistores. Fueron identificados, aparentemente se trata de transistores 2SC3356 con baja figura de ruido. Puede encontrar información sobre este transistor de varios fabricantes aquí).






La soldadura es de gran calidad, no noté ningún moco. Hay dos resistencias variables (perillas rojas) con un destornillador de punta plana para ajustar la ganancia y cambiar las características de la curva de ganancia. Fue la presencia del último ajuste lo que jugó un papel decisivo en la compra de este modelo en particular, porque... era necesario obtener la máxima amplificación de la señal de RF en un determinado rango de frecuencia. En particular, este amplificador se utiliza para amplificar la señal del paquete de un operador de cable (DVB-C digital a una frecuencia de 202 MHz y canales analógicos en el rango VHF de 48 a aproximadamente 270 MHz) y distribuir la señal a varios consumidores y compensar para pérdidas en divisores pasivos. Porque El rango operativo es de 45 a 860 MHz, entonces este amplificador se puede utilizar para amplificar señales HF para bandas VHF y FM desde una antena a varios consumidores, señales de bandas terrestres y de cable (rango de metros - VHF y rango de decímetros - UHF (470 - 860MHz)). hago hincapié cualquier señal para amplificación: canales de radio o televisión analógicos o digitales en frecuencias de 45 a 860 MHz.


Ha estado funcionando durante más de un mes, sin problemas.
Estoy satisfecho con la compra.

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El amplificador de alta frecuencia presentado a los lectores puede encontrar la aplicación más amplia. Se trata de un amplificador de antena para un receptor de radio, un accesorio de amplificación para un osciloscopio con baja sensibilidad del canal de desviación vertical, un amplificador de FI aperiódico y un amplificador de medición.

La entrada y salida del amplificador están diseñadas para conectarse a una línea con una impedancia característica de 75 Ohmios. La banda de frecuencia operativa del amplificador es de 35 kHz - 150 MHz con un desnivel en los bordes del rango de 3 dB. Voltaje de salida máximo sin distorsión 1 V, ganancia (con carga de 75 ohmios) - 43 dB, factor de ruido a 100 MHz - 4,7 dB. El amplificador se alimenta desde una fuente de 12,6 V, el consumo de corriente es de 40 mA.

El diagrama esquemático del amplificador se muestra en la figura. Consta de dos celdas de amplificación conectadas en serie, en cada una de las cuales las etapas amplificadoras resistivas de los transistores N1, T3 se cargan en seguidores emisores de los transistores T2, T4. Para ampliar el rango dinámico, se selecciona que la corriente a través del último seguidor de emisor sea de aproximadamente 20 mA. Las características de amplitud y frecuencia del amplificador están formadas por elementos del circuito de retroalimentación dependiente de la frecuencia R4C2, R10C5 y estranguladores de corrección de alta frecuencia simples Dr1 y Dr2.

Estructuralmente, el amplificador está fabricado sobre una placa de circuito impreso hecha de lámina de fibra de vidrio y colocada en una caja de latón plateada.

Los conectores son conectores de alta frecuencia SR-75-166 F. Los inductores de alta frecuencia Dr1 y Dr2 no tienen marco. Sus devanados contienen 10 vueltas de alambre PEV-1 0,25, el diámetro de los devanados es de 5 mm.

Si una ganancia de 43 dB es excesiva, sólo se puede utilizar una celda de amplificación, dependiendo del propósito previsto, ya sea en transistores T1. T2 con una tensión de alimentación de + 5 V, o en los transistores T3, T4 con una tensión de alimentación de +12,6 V. En el primer caso, la cifra de ruido es menor, pero la tensión de salida máxima también es menor (aproximadamente 400 mV); en el segundo caso, la cifra de ruido es ligeramente mayor, pero el voltaje máximo en una carga de 75 ohmios es 1 V. La ganancia de ambas celdas de amplificación es aproximadamente la misma (21-22 dB) en todo el rango de frecuencias operativas especificadas. , y cuando se utiliza una celda, la banda de frecuencia es aún más amplia (de 30 kHz a 170 MHz con un desnivel en los bordes del rango de 3 dB).

En conclusión, cabe señalar que al ensamblar el amplificador, es obligatorio cumplir estrictamente con los requisitos para la instalación en el rango de decímetros.

Fuente: Radio 7/76

Este diagrama también se ve a menudo:

Los amplificadores de banda ancha son una parte integral de muchos sistemas y dispositivos de radio. En algunos casos, entre otros, están sujetos a requisitos de adaptación a una ruta estándar de 50 o 75 ohmios. Una de las soluciones de circuitos más exitosas para construir tales

amplificadores es el uso de conexiones de retroalimentación cruzada (L1, L2, L3), que garantizan la coincidencia de entrada y salida, un valor constante de la frecuencia límite superior a medida que aumenta el número de etapas del amplificador y una alta repetibilidad de sus características. Además, los amplificadores de retroalimentación cruzada prácticamente no requieren configuración.

Especificaciones del amplificador:

  1. Banda de frecuencia de funcionamiento. 0,5-70 MHz.
  2. Tensión de salida, no menos de... 1 V.
  3. Ganancia....20±1 dB.
  4. Impedancia de entrada/salida. 50 Ohmios.
  5. Consumo actual.... 120mA.
  6. Tensión de alimentación.........12V.
  7. Entrada VSWR, no más de......1.5.
  8. Salida VSWR, no más.........3.
  9. Dimensiones totales..... 70x45 mm.

Diagrama esquemático

En la Fig. La Figura 1 muestra un diagrama esquemático de un amplificador con retroalimentación cruzada, en el que la etapa de salida se implementa según el circuito Darlington, es decir, se utiliza una conexión de transistores en serie-paralelo, lo que permite aumentar el nivel de voltaje de salida. (L.4). En la Fig.

La figura 2 muestra un dibujo de la placa de circuito impreso.

El amplificador contiene dos etapas preliminares en los transistores ME1 y ME2 y una etapa de salida en los transistores MEZ y ME4 conectados según un circuito Darlington.

Todas las etapas del amplificador funcionan en modo clase A con corrientes de consumo de 27 mA, que se configuran seleccionando los valores de las resistencias R1, R5, R9, R13. Las resistencias R3, R7, R10, R14 son resistencias de retroalimentación local. Las resistencias R4, R8, R12 son resistencias de retroalimentación general.

Arroz. 1. Diagrama esquemático de un amplificador de RF de banda ancha.

La placa de circuito impreso (Fig. 2) de 70x45 mm está hecha por ambos lados de una lámina de fibra de vidrio con un espesor de 2...3 mm. Líneas de puntos en la Fig.

2 indica los lugares donde se metalizan los extremos, lo que se puede hacer utilizando una lámina de metal, que se suelda a la parte inferior y superior del tablero.

Figura 2. Placa de circuito amplificador de RF.

La configuración del amplificador consta de los siguientes pasos. Primero, utilizando las resistencias R1, R5, R9, R13, se establecen las corrientes de reposo de los transistores amplificadores. Luego, variando el valor de la resistencia R4 dentro de límites pequeños, se minimiza la relación de onda estacionaria de voltaje en la entrada del amplificador.

La relación de onda estacionaria de voltaje en la salida del amplificador se minimiza usando la resistencia R12. Al cambiar el valor de la resistencia R8, se ajustan el ancho de banda y la ganancia del amplificador.

Si es necesario, se puede aumentar la frecuencia límite superior del amplificador. Para hacer esto, reemplace los transistores KT315G por otros de mayor frecuencia. En este caso, para el circuito mostrado en la Fig.

1, la frecuencia límite superior será del orden de 0,25...0,3 Ft, donde Ft es la frecuencia de corte del coeficiente de transferencia de corriente de la base del transistor (L.5). El uso del diseño de circuito considerado permite la creación de amplificadores con una frecuencia límite superior de hasta 2 GHz (L.2). A la hora de construirlos se debe tener en cuenta que los circuitos generales de retroalimentación, formados por los elementos C4, R4; C6, R8; C7, R12 debe ser lo más corto posible.

Esto se explica por la necesidad de eliminar el retardo excesivo de fase de la señal en estos circuitos. De lo contrario, la respuesta amplitud-frecuencia del amplificador en la región de alta frecuencia parece aumentar. Con un alargamiento significativo de estos circuitos, es posible la autoexcitación del amplificador.

Titov A. Rk2005, 1.

Literatura:

  1. Titov A. A. Cálculo simplificado de un amplificador de banda ancha. Ingeniería de radio, 1979, núm. 6, pág. 88-90.
  2. Avdochenko B.I., Dyachko A.N. y otros amplificadores de banda ultraancha basados ​​​​en transistores bipolares. Tecnología de la comunicación. Ser. Equipo de radiomedición, 1985, Vyl. 3, pág. 57-60.
  3. Abramov F.G., Volkov Yu.A. etc. Amplificador de banda ancha adaptado. Instrumentos y técnica experimental. 1984. N° 2, pág. 111-112.
  4. Titov A.A., Ilyushchenko V.N. Amplificador de banda ancha. Patente de modelo de utilidad nº 35491 Ros. agencias de patentes y marcas. Publ. Boletín 10/01/2004. 1.
  5. Petukhov V.M. Transistores y sus análogos extranjeros: un libro de referencia en 4 volúmenes.